专利名称：发光二极管器件专利类型：发明专利发明人：堀内惠,中村忍申请号：CN02127117.8申请日：20020725公开号：CN1399355A公开日：20030226
摘要：发光二极管器件包括具有近似半球形凹面的反射器构件。在凹面的内表面设置反射器表面并且在凹面中设置发光二极管。发光二极管所设置的位置使得发光二极管发出的一部分光束能远离光轴，而另一部分光束则接近光轴。
申请人：株式会社西铁城电子,河口湖精密株式会社
地址：日本山梨县
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：钱慰民
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