一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路[发明专利]

来源：好走旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电

路

专利类型：发明专利

发明人：明鑫,胡黎,张宣,潘溯,张春奇,秦尧,张志文,王卓,张波申请号：CN201810925805.5申请日：20180815公开号：CN109039029A公开日：20181218

摘要：一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路，属于电源管理技术领域。包括自举充电模块、低压开关逻辑控制模块、过零检测模块、高压开关逻辑控制模块和高压电平位移模块，低压开关逻辑控制模块在第一低侧控制信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第一PMOS管的低压开关信号，高压开关逻辑控制模块在过零检测信号、第一低侧控制信号和第二欠压信号的控制下产生用于控制自举充电模块中第二PMOS管的高压开关信号，过零检测信号由过零检测模块根据第二低侧控制信号采样栅驱动电路的开关节点处信号产生，高压电平位移模块用于得到合适电源轨的高压开关信号。本发明能够避免自举充电中负压过冲的现象，且解决了反向恢复损耗与高频过流性能退化的问题。

申请人：电子科技大学

地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

国籍：CN

代理机构：成都点睛专利代理事务所(普通合伙)

代理人：葛启函

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文