http://www.lw23.com 论文网 论文大全
２ 电子元件与材料 ２００６芷 的锐钛矿氧化钛的热处理工艺，得到了不同比例的锐 用。提高ＴｉＯ２表面的羟基含量可以通过加入水或者合 钛矿型／金红石型混晶ＴｉＯ 。然后研究了混晶中锐钛矿 成非化学计量比的ＴｉＯ 。水分子在颗粒表面的离解要 型／金红石型比例对ＴｉＯ２光催化活性的影响。结果表 求表面具有成对的酸性位点和碱性位点，二者共同促 明，当混晶结构中锐钛矿型与金红石型的质量比为 进水分子离解在表面产生羟基。酸性位点／碱性位点的 ７７．４：２２．６时，ＴｉＯ２混晶光催化活性最高。 产生可以通过对颗粒表面进行适当的预处理，以使表 １．２晶粒尺度 而原子排列具有某种特定的结构来实现。 ＴｊＯ２的晶粒尺度也是影响其光催化活性的重要因 常用的预处理有硫化、卤化等。硫化导致表面的 素。许多人研究了晶粒尺度对光催化活性的影响口 】， 酸度提高，提高ＴＴｉＯ２的催化活性。Ｔ．Ｌｏｐｅｚ￣【８ 研究 发现随着晶粒尺度的减小，其催化活性提高。但是， 了不同硫化方法对ｓｏｌ—ｇｅｌ法制备的ＴｉＯ２一ＳｉＯ２复合催化 对于催化活性随晶粒尺度的变化规律则不同的研究者 剂催化活性的影响。结果表明，在催化剂制备过程中 不尽一致。虽然对纳米晶ＴｉＯ２的晶粒尺度对其催化活 的原位硫化可以显著提高其催化活性。对ＴｉＯ２进行卤 性影响的机理缺乏统一的认识，但是，一般认为 】， 化从而在其表面引入卤素阴离子，这将导致两个主要 纳米晶 Ｏ２的电子一空穴对的复合率与品粒尺度密切 作用：（１）南素阴离子通过捕获光生空穴而抑制了电 相关。在纳米尺度范围内，晶粒尺度的减小将显著提 子．空穴对的复合。 （２）卤素原子团可以与吸附的有 高颗粒的比表面积，晶粒表面产生更多的电了一空穴对 机基团反应。这二者导致了光催化速率提高。但是， 并在表面参与氧化还原反应。但是，晶粒尺度太小， 卤化处埋使ＴｉＯ２作为光催化具有选择性【６】。 将导致电子一空穴对的复合率升高。因此品粒的尺度存 ２．２半导体复合 在最佳值（２１ ｎｍ）。 将与ＴｉＯ２不同能带结构的半导体！ｋｌＷｅ２０３、ＣｄＳ、 １．３ ＴｉＯ２薄膜的表面积和厚度 ＡｇＩ、ＳｉＯ２等与ＴｉＯ２复合，可以提高催化剂的光催化 薄膜表面积的增大有利于光的吸收，从而提高薄 活性。这主要是因为不同能级半导体之间光生载流子 膜的光催化能力。Ｎｏｂｕａｋｉ Ｎｅｇｉｓｈｉ等【６ 采刚ｓｏｌ—ｇｅｌ法 的输运和分离，导致光生载流子的更有效的分离，并 制备了ＴｉＯ２薄膜，并通过ＰＥＧ（聚乙．。■醇）作为添加 使载流子的寿命延长。 剂来改变薄膜的比表面积，然后研究了薄膜的比表面 Ｔ．Ｋ．Ｋｉｍ等 采Ｈｊ化学溶液沉积法（ＣＳＤ）在ＴｉＯ， 积与光催化活性的关系。结果表明，薄膜的比表面积 表面沉积Ｆｅ２Ｏ３得到了复合氧化物催化剂，结果发现， 与光催化能力成近似的正比关系。在薄膜制备过程中， 相对于一般商业用ＴｉＯ２光催化剂，ＴｉＯ２／Ｆｅ２Ｏ３复合氧化 常常通过控制工艺参数来得到高比表面积的ＴｉＯ２薄 物催化剂的光催化能力提高了两倍多。 膜，或者在多孔衬底表面上成膜米得到高比表面积的 Ｋ．Ｍｉｙａｓｈｉｔａ￣［１￣ｌ用电子束真空沉积制备ＴＳｉＯ２／ＹｉＯ２ ＴｉＯ２薄膜，以获得高催化活性的ＴｉＯ２薄膜。 复合多层薄膜，通过复合薄膜表面的碳吸附实验来评 ＴｉＯ２薄膜的厚度［６，７１对其光催化性能有显著的影 价其光催化性能和白清洁能力。结果表明，其光催化 响。Ｊ．Ｓｈｅｎｇ 采用直流磁控溅射在有Ｐｔ过渡层的聚 性能明显优于ＴｉＯ２薄膜，而且，复合薄膜的光催化性能 酰亚胺衬底上沉积了锐钛矿型ＴｉＯ２薄膜，在研究其光 可以通过ＳｉＯ 膜层厚度来调控。 催化活性时发现，薄膜的厚度必须达到一定的阈值 ２．３金属沉积 （１５０￣３００ｎｍ）后，薄膜才具有显著的催化活性， 如果金属的功函数高于ＴｉＯ２，则在金属／ＴｉＯ２界面 且随着薄膜的增厚，其催化活性提高。 将形成Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒，这有助于降低光生电予．空穴对 ２提高ＴｉＯ２薄膜光催化活性的方法 的复合率。这样，ＴｉＯ２表而金属通过加速电子向氧的 转移而提高其光催化性能。因此，在ＴｉＯ２表面沉积贵 作为光催化剂，ＴｉＯ２具有光吸收带窄、载流子复 金属（／ＸＨＰｔ、Ａｇ、Ａｕ等）可以提高催化活性。大量的 合率较高等不足。为此，经常从如下两个方而来提高 研究也证实了这一点‘。。。 ＴｉＯ２的光催化性能：一是降低ＴｉＯ２的禁带宽度，扩大 在贵金属沉秋中，存在一个最佳沉积量Ｉ 。当沉 其作用光的波长范围；另外一种是加入俘获剂，阻止 积量超过该最佳值时，将产生复杂的场结构，导致电 光生电子和光生空穴的复合以提高量子效率。在众多 子一空穴对复合率提高，从而降低了催化剂的光催化活 的方法中，半导体复合、贵金属和稀土元素的复合等 性。同时，ＴｉＯ２表面过剩的金属还将导致到达ＴｉＯ２表 是改善ＴｉＯ２薄膜光催化特性的有效于段。 面的光强度降低，从 导致光生电子 空穴对的产额降 ２．１表面预处理 低。此外，一旦金属沉积量过高，很容易使金属荷负 ＴｉＯ２表面的羟基在光催化过程中有重要的作 电，从而吸引空穴，空穴将复合电子，这样金属就成 为了复合中心。所以，一般都需要控制贵金属的沉积 http://www.lw23.com 论文网 论文大全
http://www.lw23.com 论文网 论文大全
第３期 郭洪蕾等：光催化活性ＴｉＯ２薄膜的研究进展 量不超过其最佳沉积量。 ＴｉＯ２薄膜，得到的薄膜材料品质优良，但该方法所需 的镀膜没各复杂，并需严格控制工艺参数，成本较高。 ３．３ ｓｏ１一ｇｅ１法 ３薄膜制备方法 ３．１物理气相沉积法 ｓｏ１．ｇｅ１法是目前最为常用的制备ＴｉＯ２簿膜的方 法。ｓｏ１．ｇｅ１法中最重要的是ｓｏｌ。ｇｅ】的制备。影响ｓｏ１．ｇｅ１ 法制备ＴｉＯ２薄膜的因素很多，如醇盐种类、溶剂、加 水量、酸催化剂、络合物、添加剂等。表１对各个影 响因素及其影响方面进行了具体介绍。 表１ ｓｏ１．ｇｅｌ法制备ＴｉＯ２簿膜的影响因素 Ｔａｂ．１ Ｔｈｅ ａｆｆｅｃｔｅｄ ｆａｃｔｏｒｓ ｏｆ ＴｉＯ２ ｆｉｌｍ ｍａｄｅ ｂｙ ｓｏｌ－ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ 物理气相沉积（ＰＶＤ）法是制备硬质镀层（硬膜） 的常用技术。在ＴｉＯ２薄膜的制备中，常常使用电子束 蒸发、直流（交流）反应磁控溅射、活化反应热蒸发、 离子束溅射、离子团束（ＩＣＢ）技术等。 唐玉朝等【ＪＩＪ用活化反应蒸发法在不同负载上制 各了厚度在Ｏ．５～１．２ ｇｍ的ＴｉＯ２薄膜。此薄膜经４００℃ 退火后以ＸＲＤ测定其晶型结构，发现无定形已部分 转变为锐钛矿型，薄膜光催化剂连续使用两次活性会 下降，用ＨＣ１冲洗活性即可恢复。实验还考察了不同 波长的电光源和不同辐射强度的太阳光下两种催化剂 的活性比较，结果发现短波长电光源下膜厚以０．５ ｇｍ 最佳，而强烈辐射的太阳光下膜厚以１．２ ｇｍ最佳。 溅射镀膜法中的反应磁控溅射金属Ｔｉ靶的方法， 能制各出高折射率、高质量的ＴｉＯ２薄膜，且工艺稳定， 易于控制，能够在建筑玻璃等大规模生产中得到应用。 董吴等ｌｌ ２Ｉ以金属钛为靶材，采用直流反应磁控溅射法 在普通载玻片上制得了ＴｉＯ２薄膜，此膜为纯锐钛矿结 构或锐钛矿和金红石的混合结构，在紫外光照射后具 有良好的光催化性，而且随着薄膜厚度的增加，产生 的电子 空穴对增多，多孔性增加，光催化性增强。 ３．２化学气相沉积法 化学气相沉积（ＣＶＤ）法制各ＴｉＯ２薄膜常用ＴｉＣ１４、 四异丙醇钛和乙醇钛等水解反应来制备ＴｉＯ２薄膜。由 于ＴｉＣＩ 中的氯离子容易对膜造成污染，所以现在一般 采用四异丙醇钛和乙醇钛为源物质制备ＴｉＯ２薄膜。 Ｂ．Ｈ．Ｋｉｍ等【ｉｊｌＪ以Ｔｉ（Ｏ ｃ２Ｈ５）４为源物质，采用液体 喷雾ＣＶＤ法在 ．ＡＩ２Ｏ３衬底上制得了ＴｉＯ２薄膜，实验 表明，此薄膜４００℃下得到锐钛矿型结构的ＴｉＯ２，薄膜 的取向为（１ ｌ ２）面，而且取向程度随着衬底温度的 降低和淀积时间的增加而减小，薄膜的厚度依赖于淀 积时间：薄膜的厚度和晶化能力对降解速率和光电流 有明显的影响。 ＭＯＣＶＤ法由于使用气体代替了液体前驱体， 使得在多孔的衬底表面晶型分布更加完美，而且具有 高的催化性能。与液相系统相比，设备和控制参数简 单，更加适宜现在的催化剂的制造。Ｘ．Ｗ．Ｚｈａｎｇ等ｆｌ 】 用两种ＭＯＣＶＤ法在氧化铝上制备了ＴｉＯ２薄膜。实 验表明一步法（沉积和退火同时进行）制得的ＴｉＯ２ 薄膜由于具有大的外部表而密度和更加完美ＴｉＯ２的 影响因素 醇盐种类 溶剂 水量 酸的种类 络合剂和其它添＿ＪＪ Ｉｌ剂 影响方面 不同的钛醇盐会）眵成不同的结构 影响金属醇盐的水解和缩聚程度。以搜材制 的Ｉ －化过程 加水量的多少直接影响水解聚合产物的结丰｛！Ｊ 加入酸催化剂不仅可以加快醇盐的水斛迎 率，同时可减慢醇盐的聚台反应速率，不用 的酸作催化剂，对焙烧后得到的ＴｉＯ２结构亦 产生影响 控制水解反应（钛醇盐很容易与水剧烈反 产 沉淀） 涂覆方式 焙烧温度 控制膜的厚度 影响ＴｉＯ２＿Ｅｌ型 ｌｌｌ困内外已有运用ｓｏ１．ｇｅｌ法在不同载体上进行镀膜 的报道。Ｃ．Ｓｕ等¨ 以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为原料，通过ｓｏ１．ｇｅｌ 法制备了ＴｉＯ：薄膜，并研究了退火温度对薄膜结构的 影响。实验表明，随着退火温度的升高，金红石结构 的ＴｉＯ２增多，并占主导地位，但是对水杨酸的降解锐 钛矿结构的ＴｉＯ２占主导地位。 ｓｏ１．ｇｅｌ法具有化学汁量比容易控制、合成温度低、 膜层纯度和均匀性好、工艺简单等优点，但是膜的附 着力差，需要其它辅助方法来提高结合强度。 ３．４电化学方法 电化学方法在薄膜制备中被广泛采用，ＴｉＯ：薄膜 制备技术中经常采用阳极氧化、微等离了体氧化、电 极沉积等电化学方法。 晶型而具有优良的光催化性能，而且ＴｉＯ２／Ａ１２Ｏ３这种 结构稳定性也很好。两步法（第一步是通入载气，第 二步是分解）由于孔的阻塞而导致衬底结构的毁坏。 化学气相沉积方法可以在任何耐热基体上制备 ３．４．１阳极氧化法和微等离子体氧化法 阳极氧化法（ＡＮＯＦ），它是直接在镁、铝、钛等 有色金属表面原位生长氧化物陶瓷薄膜。制备的氧化 膜层具有高的耐磨损、抗腐蚀的性能，且与基体的结 合能力强。微等离予体氧化（ＭＰＯ）是对刚极氧化技 术的发展，这种方法制得的薄膜除具有与纂体的结合 力良好的优点外，还具有大面积制备薄膜的优点。高 玉周等【Ｊ ｂＪ利用此方法在纯Ｔｉ金属表面牛长出了ＴｉＯ２ 薄膜，而且研究表明在不同电解质溶液条件下，得到 不同类型结构组成的氧化膜。在碱性溶液条件下，为 单一金红石结构的ＴｉＯ２薄膜；在近ｒ卜性溶液条件下， 为锐钛矿；ｆｔＩ金红石混和结构的ＴｉＯ２薄膜；而存酸性溶 液中，为单一锐钛矿结构的ＴｉＯ２薄膜。此单一锐钛矿 结构的氧化膜薄膜比较粗糙，有效减少了光催化过 中光的反射，更好地增加了光地吸收利川。 http://www.lw23.com 论文网 论文大全
http://www.lw23.com 论文网 论文大全
４ 电子元件与材料 ２００６笠 ３．４．２电极沉积法 薄膜材料具有许多独特的性能，这使得ＴｉＯ２薄膜在水 电极沉积法是制备功能陶瓷薄膜的一种重要的 处理、气体净化、抗菌自洁等方面有着广阔的应用前 方法。由于阳极沉积所能沉积的材料和使用的衬底有 景。为此，人们展开了大量的研究，并取得了显著的 限，所以多采用阴极沉积。根据沉积过程中机理的不 成果。但是目前还有很多问题有待于进一步研究。 同，电极沉积分为电沉积（ＥＬＤ）和电泳沉积（ＥＰＤ） 金属或氧化物复合提高ＴｉＯ２薄膜光催化性能的 见图１。 效果还有待于进一步提高，其中的机理也需要进一步 电沉积（ＥＬＤ）主 研究。实用于可见光段的ｎ掺杂ＴｉＯ２复合薄膜，为扩 要用于纳米级陶瓷 展光催化剂的适用光谱范围，提供了很好的技术思路， 薄膜的制备，使用的 但是这方面的工作刚刚起步，其工艺控制及其相关机 是金属盐溶液。阴极 理正成为人们研究的热点。 ‘ 电沉积常用的溶剂 制各ＴｉＯ２薄膜的方法很多，其中ｓｏｌ—ｇｅｌ法使Ｊ｛ｊ 电泳法 电沉积法 有甲醇和水或乙醇 最为广泛。其它制备方法还有待于进一步优化。以磁 图１电泳法和电沉积法示意图 Ｆｉｇ．１ Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ ｏｆｃａｔｈｏｄｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ 和水的混和溶液，水 控溅射法为主的幕墙玻璃制备技术已经非常成熟，如 ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ＥＰＤ ａｎｄ ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ＥＬＤ 用以实现阴极反应， 果能利用磁控溅射法制备出性能优异的ＴｉＯ２薄膜光 甲醇或乙醇用以降 催化剂，则必将促进ＴｉＯ２薄膜光催化剂在废水处理和 低沉淀的溶解性，加快沉积速率和减小沉积过程中的 室内空气净化领域的实用化。 裂化和多孔性。Ｎａｔａｒａｊａｎ等 Ｊ采用钛粉为原料，在水 溶液中实现了ＩＴＯ玻璃上的阴极电沉积。此锐钛矿结 参考文献： 构的ＴｉＯ２薄膜对４００ ｌ １００ ｎｍ的光线有较高透射 ［１】ＫｉｍＴＫ，ＬｅｅＭＮ，ＬｅｅＳＨ，ｅｔａ１．Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｓｕｒｆａｃｅｃｏａｔｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆ Ｔｉ０２￣ｘ）ｗｄｅｒ ａｎｄ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｏｆｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｔｉｃ ａｃｆｉｖｉｔｙ ｂｙ ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｄｉｉｆｃａｆｉｏｎｌ￥１． 率，几乎透明。 ｉｎ Ｓｏｌｉｄ ＦｉｌＩｌｌＳ．２００５．Ｖ４７５：ｌ７ ｌ一１７７． 【２】魏刚，黄海燕。熊蓉春．纳米：氧化钛的光催化性能及Ｊ 在有机污染物 电泳法（ＥＰＤ）主要用于厚的陶瓷薄膜制备，使 降解中的应用【ＪＩｌ现代化工．２００３，２３（１）：２０—２３． 【３】ＳｎｅｊａｎａＢａｋａｒｄｊｉｅｖａ，Ｊａｎ Ｓｕｂｒｔ，Ｖａｃｌａｖ Ｓｔｅｎｇｌ，ｅｔａ１．Ｐｈｏｔｏａｃｔｉｖｉｔｙｏｆａｎａｔａｓｅ－ｒｕｔｉｌｅ 用的是含有陶瓷粒子的悬浮液。电泳沉积使用的溶剂 ＴｉＯ，ｎａｎｏｃｒｖｓｔａｌｌｊｎｅ ｍｉｘｔｕｒｅｓ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｂｙ ｈｅａｔ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｏｆ ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓｌｙ 多为有机溶剂。为了提高淀积薄膜的粘附力和防止淀 ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｅｄ ａｎａｍ￣ｅ［Ｊ］．Ａｐｐｌ Ｃａｔａｌ Ｂ：Ｅｎｖｉｍｎｍｅｎｔａ１．２００５．５８：１９３＿．２０２． ｆ４１ Ｐｏｒｔｅｒ Ｆ Ｌｉ Ｙ Ｇ．Ｃｈｕｎ Ｃ Ｋ．Ｔｈｅ ｅｆ＿ｆｅｃｔ ｏｆ ｃａｌｃｉｎａｔｉｏｎ ｏｎ ｔｈｅ ｍｉｃｒ０ｓｔｒｕｔｕｒａｌ 积过程中产生的裂化，溶液· 要添加粘结荆。 ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｉｔｃｓ ａｎｄｐｈｏｔｏｒｅａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆＤｅｇｕｓｓａＰ－２５ＴｉＯｄＪ］．ＪＭａｔｅｒＳｃｉ．１９９９．３４： ｌ５２３一ｌ５３４． Ｍｏｈｄ．Ａｓｒｉ Ｎａｗｉ等Ｉｌ ８】在含有ＥＮＲ添加剂的悬浮液中 Ｉ５ｌ ＣａｍＯ，ＨｕｉｓｍａｎＣＬＲｅｌｌｅａ＂Ａ．Ｐｈｏｔｏｉｎｄｕｃｅｄ ｒｅａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆｔｉｔａｍｉｕｍｄｉｏｘｉｄｅＩ￥１． ＰｍｇＳｏｌｉｄＳｔａ￣ｅＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００４，３２：３３－１７７． 采用此方法在铝板上制备了ＴｉＯ２薄膜，并对苯酚进行 【６１ Ｎｏｂｕａｋｉ Ｎｅｇｉｓｈｉ，Ｋ０ｉｉ Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｔａｋａｓｈｉ Ｉｂｕｓｕｋｉ［Ｊ］．Ｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ口ｈｏｔ０ｃａ【ａｌｙｓｔ【Ｊ］．Ａｐｐｌ ＳｕｒｆＳｃｉ，ｌ９９７，ｌ２１一ｌ２２： 降解测试其光催化降解能力。实验表明ＥＮＲ的加入量 ４ｌ７—４２Ｏ． 【７】Ｓｈｅｎｇ Ｊ．Ｓｈｉｖａｌｉｎｇａｐｐａ Ｌ．Ｋａｒａｓａｗａ Ｊ， ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｓｉｓ 影响ＴｉＯ２薄膜的光催化性能和强度，最佳加入量为在 ｅｖａｌｕａ石ｏｎｏｆａｎａｔａｓｅｆｉｌｍｏｎ Ｐ【．ｂｕｆｆｅｒｅｄｐｏｌｙａｍｉｄｅ［Ｊ１．Ｖａｃｕｕｍ，１９９８．５１（４）：６２３＿ ２７． 【８】Ｌｏｐｅｚ Ｔ，Ｂｏｓｃｈ Ｐ，Ｔｚｏｍｐａｎｔｚｉ Ｆ．ｅｔ ａ１．Ｅ融ｔ ｏｆ ｓｕｌｆａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｔｘｌｓ ｏｎ ＴｉＯ２－ＳｉＯ２ １０ｇ／Ｌ的ＴｉＯ２悬浮液中加入０．５ ｇ的ＥＮＲ。 ｓｏ１．ｇｅｌ ｃａｔａｌｙｓｔ ａｃｉｄｉｔｙ【Ｊ１．Ａｐｐｌ Ｃａｔａｌ Ａ：Ｇｅｎｅｒａｌ，２Ｏ０ｏ，ｌ９７：１０７－Ｉｌ７． 【９】ＫｉｍＴＫ．ＬｅｅＭＮ．ＬｅｅＳＨ，ｅｔａ１．ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｓｕｒｆａｃｅｃｏａｔｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＴｉ０２ 与其它方法相比，电极沉积法具有设备简单、耗 ｌｘｇｗｄ￣ａｎｄｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆｐｈｏｔ￣ａｔａｌｙｔｉｃ ａｃｔｉｖｉｔｙｂｙ ｓｕｒｆａｃｅｍｏｄｉｉｆｃａｔｉｏｎ［Ｊ１ Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ．２ｏ０５．４７５：１７１－１７７． 能低、易操作、成本低廉、适合大规模生产等优点， 『ｌ０１ Ｍｉｙ￣ｓｈｉｔａＫ－Ｅｎｈａｎｃｅｄｅｆｔｉ￣ｃｔｏｆｖａｃｕｕｍ－ｄｅｌｘ￣ｓｉｌｅｄＳｉＣｈｏｖｅｒｌａｙｅｒｏｎｐｈｏｔｏ－ｉｄｅｕｃｅｄ 具有广阔的发展前途。电化学方法制备ＴｉＯ２薄膜最大 ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｄｔｙｏｆＴｉ０２ｆｉｌｍ［Ｊ］ＪＭｕｔｅｒＳｃｉ．２００ｌ，３６：３８７７—３８８４ 【ｌｌ】唐玉朝．钱振型，钱中良，等， Ｏ２薄膜光能化剂的制铬发其活性【Ｊ］．环 的缺点是必须在导电基底上制膜，但是正是由于导电 境科学报。２００２，２２（３）：３９３—３９６． 【ｌ２］黄吴，张永熙．直流反应磁控溅射制＿镉ＴｉＯ２薄膜的光催化性柳ｆ究Ⅲ．真 基底的存在，使得制备的ＴｉＯ２薄膜有望有更优良的光 科学 技术学报，２０００，２Ｏ（４）：２５２—２５５． ｆｌ３１ Ｋｉｍ Ｂ Ｈ．Ｌｅｅ Ｊ Ｃｈｏａ Ｙ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ＴｉＯ２ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍ ｂｙ ｌｉｑｕｉｄ 催化性质。 ｓｐｒａｙｅｄ ｍｉｓｔ ＣＶＤ ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ Ｅｎｇ．２００４．Ｂｌ０７：２８９－２９４． 【１４］Ｚｈａｎｇ Ｘ Ｚｈｏｕ Ｍ Ｈ，Ｌｅｉ Ｌ Ｃ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａｎａｔａｓｅ Ｏ２ ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ ｏｎ ３．５其它方法 ａｌｕｍｉｎａ ｂｙ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄｓ［Ｊ］． Ａｐｐｌ Ｃａｔａｌ Ａ：Ｇｅｎｅｒａｌ，２００５，２８２：２８５－２９３ 除上述方法外，还有其它的制备ＴｉＯ２薄膜的方 【ｌ ５ Ｊ Ｓｕ Ｃ，Ｈｕｎｇ Ｂ Ｙ，Ｔｓｅｎｇ Ｃ Ｍ．Ｓｏｌ－ｇｅｌ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ［Ｊ］．Ｃａｔａｌ Ｔｏｄａｙ，２００４．９６：ｌｌ９一ｌ２６， 法，如液相法、组装法等。液相法在常温下就可以进 【ｌ６ Ｊ高：丘刷。严立．微等离子件氧化制缶ＴｉＯ２薄膜的结构特性ｌＪｌ，中崮表 行，不需要特殊设备，而且很容易在大面积和复杂形 面工程。２００３。（６３）：３５—３７ 【ｌ７］Ｎａｔａｒａｊａｎ Ｃ．Ｎｏｇａｍｉ Ｇ Ｃａｔｈｏｄｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｎａｎｏｃｒｙｓｔｓａｌｌｉｎｅ 状的衬底上成膜。组装法包括ＬＢ技术ｌｌ９１、自组装技 ｔｉｔａｎｉｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍｓｌＪ］Ｊ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ Ｓｏｃ．１９９６，１４３（５）：ｌ５４７－１５５０． 【ｌ８】Ｍｏｈｄ Ａｓｒｉ Ｎａｗｊ．Ｌｉｍ Ｃｈｏｏ Ｋｅａｍ．Ｋｅｉｉｃｈｉ Ｔａｎａｋａ．ｅｔ ａｌ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ 术【２０Ｊ和模板技术【２ｌＪ。其中自组装膜比ＬＢ膜具有高的 ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｔｉｃ Ｔｉ０２一ｅｐｏｘｉｄｉｚｅｄ ｎａｔｕｒａｌ ｕｒｂｂｅｒ ｏｎ Ａｌ ｐｌａｔｅ ｖｉａ ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ａｐｐｌ Ｃａｔａｌ Ｂ：Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ，２００３，Ｖ４６：ｌ ６５—１７４．（１ ２）： 对热、时间、压力和化学环境的稳定性，日．成膜技术 １４０２－１４０７． 【ｌ９］曹立新．袁迅道，ＬＢ技术制备ＳｎＯ２－ＴｉＯ２无机交瞥纳米薄膜［Ｊ］．无机化 简单。而利用模板制备高活性的纳米阵列的复合薄膜， 学学报［Ｊ］．２００４．２０（１２）：１４０２—１４０７． 【２０Ｊ黄卅．肖忠党．自纰装成膜法制ＴｉＯ２薄膜…，化学学报，１９９８，５６： 将是未来一个重要的研究方向。 ４ｌ７—４２２． １２ ｌ ｌ Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ Ｉｓｈｉｋａｗａ Ｙ Ｎｉｓｈｉｄａ Ｍ，ｅｔ ａ１．ａ ｎｅｗ ｅｌｅｃｔ ｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ ｐｒｅｐａｒｅ ｍｅｓｏｐｏｒｏｕｓ ｔｉｔａｎｉｕｍ（ＩＶ）ｏｘｉｄｅ ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｓｔ ｆｉｘｅｄ ｏｎ ａｌｕｍｉｔｅ ４结束语 ｓｕｂｓｔｒａｔｅ［Ｊ］．Ｊ Ｐｈｙｓ Ｃｈｅｍ Ｂ，２０００，ｌ０４（１７）：４２０４广Ｉ４２０９． （编辑：傅成霸１ 基于光催化氧化作用原理的光催化性能使ＴｉＯ http://www.lw23.com 论文网 论文大全
http://www.lw23.com 论文网 论文大全
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容