高K金属栅极半导体晶体管的结构

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201110319582.6 （22）申请日 2011.10.20 （71）申请人 国际商业机器公司

地址 美国纽约阿芒克

（10）申请公布号 CN102456720B

（43）申请公布日 2016.04.06

（72）发明人 尹海洲;朴大奎;O.格鲁申科夫;骆志炯;D.谢皮斯;袁骏 （74）专利代理机构 北京市柳沈律师事务所

代理人 邱军

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

高K金属栅极半导体晶体管的结构

（57）摘要

本发明提供一种半导体结构，其可包

括高k金属栅极场效晶体管。该结构包括在应变硅层的顶部上直接形成的n型场效晶体管(NFET)和在同一应变硅层的顶部上但隔着硅锗(SiGe)层形成的p型场效晶体管(PFET)。应变硅层可形成在绝缘材料层的顶部上或具有渐变Ge含量变化的硅锗层上。此外，NFET和PFET形成为彼此相邻，并且由应变硅层内形成的浅沟槽隔离(STI)分开。本发明还提供形成半导体结构的方法。 法律状态

法律状态公告日

2012-05-16 2012-05-16 2012-06-27 2012-06-27 2016-04-06 2016-04-06 2017-12-08 2017-12-08

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

高K金属栅极半导体晶体管的结构的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

高K金属栅极半导体晶体管的结构的说明书内容是....请下载后查看