专利名称：一次电解制备5N高纯铟的方法专利类型：发明专利
发明人：彭巨擘,卢兴伟,张启旺,伍美珍,雷云,陈光云申请号：CN201810977839.9申请日：20180827公开号：CN108823604A公开日：20181116
摘要：本发明公开了一种一次电解制备5N高纯铟的方法，其以3N~4N金属铟为原料，在电解液存在条件下，采用包裹有过滤装置的3N～4N金属铟作为阳极，通过一次电解精炼法制得5N高纯铟；本发明方法能防止阳极泥污染电解液，并能选择透过有用离子，达到有效除去与In电位相近的其他金属元素；本发明方法操作简单，可控性高、成本低，易于实现扩大生产。
申请人：云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
地址：650000 云南省昆明市高新区昌源中路49号
国籍：CN
代理机构：昆明大百科专利事务所
代理人：苏芸芸
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