基于CMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：基于CMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法专利类型：发明专利发明人：许丹

申请号：CN201210413619.6申请日：20121025公开号：CN102901575A公开日：20130130

摘要：本发明公开了一种基于CMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括CMOS三极管，采用相同或不同的电压值（V）加载到CMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值（V）后的电流值；之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。本发明基于CMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，对半导体器件的使用寿命影响较小。

申请人：上海宏力半导体制造有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：郑玮

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