锗硅肖特基二极管[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：锗硅肖特基二极管专利类型：实用新型专利

发明人：叶志镇,吴贵斌,赵星,刘申请号：CN200520013605.0申请日：20050728公开号：CN2826699Y公开日：20061011

摘要：本实用新型涉及锗硅肖特基二极管，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的二氧化硅层，在二氧化硅层窗口内有锗硅外延层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅外延层的上面，在二氧化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的铝电极。这种结构的锗硅肖特基二极管由于其锗硅外延层只在二氧化硅光刻窗口处生长，因此能有效地降低器件的反向漏电流，且器件制造无须任何隔离，简化了工艺，提高了集成度。

申请人：浙江大学

地址：310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

国籍：CN

代理机构：杭州求是专利事务所有限公司

代理人：韩介梅

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