专利名称：半导体器件及生产工艺专利类型：发明专利发明人：坂本和久申请号：CN96190107.1申请日：19960219公开号：CN1146827A公开日：19970402
摘要：本文提出了一种半导体器件。该器件由于消除了由场限制环导致的半导体层和绝缘膜之间界面的不连续性，以及避免了杂质由于再扩散而由场限制环进入绝缘膜中，所以该器件的绝缘击穿强度特性将有所提高。本文还给出了制造上述半导体器件的工艺方法。在第一导电类型的半导体层(即N半导体层1b和外延层1c)上有用以形成半导体器件(三极管)的第二导电类型的半导体区(即P型基区2)，第二导电类型的场限制环4a和4b位于半导体区外面，场限制环4a和4b没有暴露于外延层1c的表面。
申请人：罗姆股份有限公司
地址：日本京都市
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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