高压半导体装置及其制造方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：高压半导体装置及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：吴政璁,林鑫成,林文新,胡钰豪申请号：CN201710535726.9申请日：20170704公开号：CN1092153A公开日：20190115

摘要：本发明提供一种高压半导体装置。此装置包括一外延层形成于一半导体基底上。半导体基底内包括具有第一导电型的一第一掺杂区，且外延层内包括具有第二导电型的一基体区以及具有第一导电型的一第二掺杂区及一第三掺杂区。第二掺杂区及第三掺杂区分别位于基体区两相对侧。一源极区及一漏极区分别位于基体区及第二掺杂区内，且一栅极结构位于外延层上。源极区下方且邻近于基体区底部处包括具有第二导电型的一第四掺杂区。第四掺杂区的掺杂浓度大于基体区的掺杂浓度。本发明亦提供上述高压半导体装置的制造方法。本发明可降低或消除基体效应而避免驱动电流随着施加于源极区的电压的增加而下降，进而提升或维持高压半导体装置的效能。

申请人：世界先进积体电路股份有限公司

地址：中国新竹科学工业园区

国籍：TW

代理机构：北京三友知识产权代理有限公司

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