专利名称：碳化硅衬底专利类型：发明专利
发明人：西口太郎,佐佐木信,原田真,冲田恭子,井上博挥,藤原
伸介,并川靖生
申请号：CN201080009653.6申请日：20100928公开号：CN102334176A公开日：20120125
摘要：本发明提供了一种碳化硅衬底(81)，其具有衬底区域(R1)和支撑部(30)。该衬底区域(R1)具有第一单晶衬底(11)。支撑部(30)连接到第一单晶(11)的第一背面(B1)。第一单晶衬底(11)的位错密度小于支撑部(30)的位错密度。衬底区域(R1)和支撑部(30)中的至少一个具有空洞。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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