（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010256012.6 （22）申请日 2020.04.02
（71）申请人 徐州鑫晶半导体科技有限公司
地址 221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
（10）申请公布号 CN111379018A
（43）申请公布日 2020.07.07
（72）发明人 卢哲玮;薛抗美
（74）专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 肖阳
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
半导体硅晶棒的生长方法
（57）摘要
本发明提出了半导体硅晶棒的生长方法，
该方法包括：(1)以籽晶浸入熔汤中进行引晶以形成晶棒，并对晶棒进行缩颈；(2)对缩颈后的晶棒进行扩肩；(3)对扩肩后的晶棒进行等径生长，并收尾以获得半导体硅晶棒；其中，在引晶、缩颈、扩肩和等径生长的步骤中，热场的垂直温度梯度小于20K/cm。本发明所提出的生长方法，通过保证引晶、缩颈、扩肩和等径生长的步骤中的热场垂直温度梯度小于20K/cm，并且，在极低拉
速的情况下进行等径生长，如此，可以生长出直径在450mm以上大尺寸、低应力的完美半导体硅晶棒。
法律状态
法律状态公告日
2020-07-07 2020-07-07 2020-07-31
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
法律状态
公开 公开
实质审查的生效
权利要求说明书
半导体硅晶棒的生长方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
半导体硅晶棒的生长方法的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容