专利名称：一种半导体结构专利类型：实用新型专利发明人：尹海洲,朱慧珑,骆志炯申请号：CN201090000830.X申请日：20100919公开号：CN202917448U公开日：20130501
摘要：提供了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：硅衬底(201)；形成于所述硅衬底(201)上的宽带隙半导体层(202)；以及形成于所述宽带隙半导体层(202)上的硅层(203)。短沟道效应能够得到抑制。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：王波波
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