一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列及其制备方法和应用

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201710533328.3 （22）申请日 2017.07.03 （71）申请人 上海大学

地址 200444 上海市宝山区上大路99号

（10）申请公布号 CN107285385A

（43）申请公布日 2017.10.24

（72）发明人 吴明红;湛晶;潘登余;吴宽;施文彦;徐刚 （74）专利代理机构 北京高沃律师事务所

代理人 刘奇

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列及其制备方法和应用

（57）摘要

本发明提供了一种金属性1T二硫化钼纳

米片阵列及其制备方法和应用，包括以下步骤：将基底进行热处理，得到功能化的基底；将功能化的基底、钼酸盐和含硫化合物在溶剂中进行溶剂热反应，得到金属性1T二硫化钼纳米片阵列。本发明首先对基底进行热处理，提高基底表面润湿性能，然后通过一步溶剂热反应即可在基底表面得到金属性1T二硫化钼纳米片阵列。本发明提供的制备方法步骤简单、成本低、产率高、符合

环保要求；且制备的金属性1T二硫化钼纳米片阵列具有优异的储锂性能，在锂离子电池中的具有广阔的应用前景。

法律状态

法律状态公告日

2017-10-24 2017-10-24 2017-10-24 2017-11-24 2017-11-24 2019-11-15

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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