专利名称：薄膜半导体元件及元件复合结构专利类型：发明专利发明人：S·赫尔曼,B·哈恩申请号：CN200780036707.6申请日：20070716公开号：CN101542752A公开日：20090923
摘要：本发明描述一种具有承载层和设置在该承载层上的堆叠层的薄膜半导体元件，该堆叠层包含用来发出辐射的半导体材料，其中在该承载层上施加用以冷却该半导体元件的散热层。本发明还描述了一种元件复合结构。
申请人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
地址：德国雷根斯堡
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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