专利名称：制造具有碳化硅膜的半导体器件的方法专利类型：发明专利发明人：驹田大辅,各務克巳申请号：CN02106299.4申请日：20020410公开号：CN1411050A公开日：20030416
摘要：本发明提供半导体器件制造方法，其采用可以很容易地去除蚀刻阻止膜或碳化硅制成的硬掩膜的工艺。具体地，在半导体衬底上形成第一膜，该第一膜由蚀刻抗力不同于碳化硅的绝缘材料制成。在第一膜上形成由加氢的碳化硅制成的第二膜。在第二膜上形成具有开口的光刻胶膜。通过以光刻胶掩膜作为蚀刻掩膜，并使用添加SF和NF中的至少一个的碳氟化合物气体的混合气体对第二膜进行干蚀刻。以第二膜作为掩膜，对第一膜进行蚀刻。
申请人：富士通株式会社
地址：日本神奈川
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王以平
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容