文件编号：Q03-SIP-01 版本号：A/6 生效日期：20年5月8日 检测标准 A级片 线痕 面积比例 密集最大双面线痕深度（μm） 线痕 手感 线痕 ≤15 μm ＜1/2 ≤10 摸起来无手感 长≤1 mm， 深≤0.5 mm， 数量≤2个， 不得有V型口 无 无凹坑 无 无 无 B1级片 15-25 μm ＞1/4 10-15 B2级片 25-35 μm ＞1/4 15-20 密集线痕的定义：垂直线痕方向每厘米存在5条线痕以上 线痕是双面线痕深度相加的值 多晶硅片成品标准 页码：第2页 共4页 内容 项目 备注 摸起来有手感 长≤1.5 mm， 深≤0.5 mm， 数量≤2个， 不得有V型口 明显沾污,表面脏污≤10%. 无凹坑 无 有明显色差 无 长≤1.5mm， 深≤0.5 mm， 数量≤3个， 不得有V型口 污片 无凹坑 无 有明显色差 无 每100片崩边总片数不超过该批总量的3%，如超过3片拿出来作B1级片;不够3片也不可插进去。磨过的边缘片必须检测隐裂。 崩边 外观 污片 凹坑 缺角、穿孔 色差 微晶、雪花晶 分布晶 隐裂 无 无 无 设备检查隐性裂纹宽度大于0.1mm
文件编号：Q03-SIP-01 版本号：A/6 生效日期：20年5月8日 页码：第3页 共4页 多晶硅片成品标准 内容 项目 边长 对角线 垂直度 倒角 尺寸 弯曲度 翘曲度 A级片 125×125±0.5mm 156×156±0.3mm 175.5±0.5mm 219.2±0.5mm 90°±0.2° 1~1.8mm B1级片 125×125±0.5mm 156×156±0.5mm 175.5±0.7mm 219.2±0.7mm 检测标准 B2级片 125×125±0.5mm 156×156±0.5mm 175.5±0.7mm 219.2±0.7mm 备注 90°±（0.2~0.5°） 90°±（0.2~0.5°） 0.5~2mm 0.5~2mm 50μm≤弯曲度 翘曲度≤75μm 边缘翘曲≤80μm 其中厚度D取五点法平均，五点同时满足标准，厚度测量5点的位置，中心点和离四角15mm处的点；TTV为同一张硅弯曲度、翘曲度≤50μm 边缘翘曲≤80μm 厚度 180±18 μm 200±20μm TTV≤30μm 180±25 μm 200±25μm TTV≤30μm 180±25 μm 200±25μm TTV≤40μm 片上厚度最大值减厚度最小值。其中，超厚，超薄片同一箱中各硅片的厚度D、TTV的变化不超过30μm。以上条件优先级最高为不合格片，依次为C级片、B级片，即满足任意一条不合格片的标准，则为不合格片。当同类异常出现1000片以上时，将由品管召集技术、销售、生产等，进行处理。
文件编号：Q03-SIP-01 版本号：A/6 页码：第4页 共4页 多晶硅片成品标准 内容 项目 氧含量 碳含量 物理性能 少子寿命 导电类型 电阻率 生效日期：20年5月8日 检测标准 A级片 B1级片 1717B2级片 33备注 1、正常电阻率超过标准,判定为电阻率异常废片. 2、特殊情况可按客户要求调整参数。 [0]≤14ppma或7×10atom/cm [C]≤16ppma或8×10atom/cm τ≥2μs P ρ=[1~3]Ω．cm
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