专利名称：化合物半导体发光器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：竹内良一,锅仓互,宇田川隆申请号：CN200580009941.0申请日：20050328公开号：CN1947265A公开日：20070411
摘要：提供了一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括n型或p型导体层，所述导体层和所述衬底接合在一起，以及所述导体层由含硼III－V族化合物半导体构成。
申请人：昭和电工株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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