专利名称：半导体器件和电路专利类型：发明专利发明人：廖忠志
申请号：CN201910909776.8申请日：20190925公开号：CN110970437A公开日：20200407
摘要：用于核心(逻辑)器件和SRAM器件的共同优化的结构和方法包括具有逻辑部分和存储器部分的半导体器件。在一些实施例中，逻辑器件设置在逻辑部分内。在一些情况下，逻辑器件包括单鳍N型FinFET和单鳍P型FinFET。在一些示例中，静态随机存取存储器(SRAM)器件设置在存储器部分内。SRAM器件包括设置在两个P阱区域之间的N阱区域，其中两个P阱区域包括N型FinFET传输门(PG)晶体管和N型FinFET下拉(PD)晶体管，并且其中N阱区域包括P型FinFET上拉(PU)晶体管。本发明的实施例还涉及半导体器件和电路。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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