专利名称：一种发光二极管芯片及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：尹灵峰,高艳龙,马磊,王江波申请号：CN201811554811.0申请日：20181219公开号：CN109786528A公开日：20190521
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电层、介质层、N型电极和P型电极；透明导电层上设有多个向P型半导体层延伸的第一通孔；介质层设置在凹槽内和透明导电层上，并填满第一通孔；位于透明导电层上的介质层上设有多个延伸至透明导电层的第二通孔，多个第二通孔和多个第一通孔排列在至少一条直线上，每个第一通孔位于同一条所述直线上相邻的两个第二通孔之间，每条直线位于介质层和透明导电层的交界面上；N型电极和P型电极设置在介质层上。本发明通过在透明导电层上设置向P型半导体层延伸的第一通孔，可以减少被透明导电层吸收的光线。
申请人：华灿光电(浙江)有限公司
地址：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
国籍：CN
代理机构：北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人：徐立
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