IS61LV25616

IS61LV25616AL

3.3V的256K x 16高速静态随机存储器。

特点：

        

高速存取时间：10，12ns

CMOS低功耗工作

低备用电源，低于5mA的备用电源

TTL兼容接口电平

3.3V电源单独供电

全静态操作：无需刷新，无需时钟

三态输出

数据控制为上部或下部字节

可在工业温度下使用

说明：

IS61LV25616AL是由高速的，4，194，304字节静态RAM，由16位的262，144字节组成。并利用ISSI的高性能CMOS技术合成。这种高可靠性的处理加上创新的电路设计技术，生产出高性能，低功耗的设备。

当/CE是高电平（悬空）时，设备呈现待机模式，并且此时的功耗可以降低到CMOS输入时的功耗。

简单的存储器扩展是由芯片使能端和输出使能端来提供，/CE和/OE。激活低电平的/WE可以同时控制存储器的读和写。数据字节既允许高字节（/UB）进入，也允许低字节(/LB)进入。

IS61LV25616AL被按照JEDEC（联合电子设备工程会议）分别打包成44引脚400mil（千分之一寸）J型塑料封装(SOJ)，44引脚微型薄片II式封装(TSOP)，44引脚小外形四方扁平封装(LQFP)和48引脚迷你球状栅级阵列型封装(BGA)（8mm x 10mm）。

原理框图如下：

引脚配置：

44引脚400mil（千分之一寸）J型塑料封装(SOJ)和44引脚微型薄片II式封装(TSOP)

引脚功能介绍：

A0—A17 地址输入端

I/O0—I/O15 数据输入端/输出端

/CE 芯片使能输入端

/OE 输出使能输入端

/WE 写使能输入端

/LB 低字节控制端（I/O0—I/O7）

/UB 高字节控制端（I/O8—I/O15）

NC 无连接

VDD 电源

GND 接地

44引脚小外形四方扁平封装(LQFP)

48引脚迷你球状栅级阵列型封装(BGA)（8mm x 10mm）

绝对最大额定参数

VTERM 接地端的电压 –0.5到VDD+0.5

TSTG 存储温度 –65到+150

PT 功率损耗 1.0

说明：当表中所列出的参数超过绝对最大额定参数时会引起器件的毁坏。说明书中没有介绍参数的计算及在其它条件下的使用。长期工作在最大额定参数下，会影响器件的可靠性。

操作范围

环境温度 10ns 12ns

商业 0°C到 +70°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10%

工业 0°C到 +70°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10% 直流工作特性（超出操作范围）

符号 参数 测试条件 最小 最大 单位

VOH 输出最高电压 VDD = Min., IOH = –4.0 mA 2.4 -- V

VOL 输出最低电压 VDD = Min., IOL = 8.0 mA -- 0.4 V

VIH 输入最高电压 2.0 VDD + 0.3 V

VIL 输入最低电压 -0.3 0.8 V

ILI 输入损失 GND ≤ VIN ≤ VDD Com. –2 2 μA

Ind. –5 5

ILO 输出损失 GND ≤ VOUT ≤ VDD Com. –2 2 μA

Outputs Disabled Ind. –5 5

说明：脉冲宽度小于10ns时，VIL (min.) = –2.0V