（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN200710067517.2 （22）申请日 2007.03.05 （71）申请人 浙江大学
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
（10）申请公布号 CN100470804C
（43）申请公布日 2009.03.18
（72）发明人 韩雁;崔强;董树荣;霍明旭;黄大海;杜宇禅;曾才赋;洪慧;陈茗;杜晓阳;斯瑞珺;张吉皓
（74）专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公司
代理人 张法高
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
（57）摘要
本发明涉及一种静电放电防护电路。
现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层，多晶硅层与阱区之间设置SiO 法律状态
法律状态公告日
2007-08-15 2007-10-10 2009-03-18 2013-04-17
公开
实质审查的生效 授权 专利权的终止
法律状态信息
公开
法律状态
实质审查的生效 授权 专利权的终止
权利要求说明书
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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