专利名称：一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件专利类型：实用新型专利
发明人：孟立智,袁凤坡,王静辉,唐兰香,白欣娇,宋士增,甘琨,
高建海
申请号：CN201921597785.X申请日：20190925公开号：CN210516745U公开日：20200512
摘要：本实用新型设计了一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，属于半导体功率器件及其制备技术领域，其技术方案为由下向上依次设置的衬底层、缓冲层以及外延层，缓冲层为第一AlN缓冲层和第二AlN缓冲层，外延层包括AlGaN应力调控层、n‑AlGaN导电缓冲层、n‑GaN薄膜层、
n‑AlGaN/n‑GaN超晶格应力缓解层、InGaN/GaN多量子阱结构层、p‑AlGaN电子阻挡层、p‑GaN薄膜层以及p‑GaN重掺层，其具有电流分布均匀、发热量少、工艺简单和有源区面积大等优点，大大提高了氮化镓基功率器件的工作性能，提升了器件的使用寿命。
申请人：同辉电子科技股份有限公司
地址：050200 河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
国籍：CN
代理机构：石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：张建茹
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