薄膜晶体管

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薄膜晶体管概念

薄膜晶体管（英语：Thin-Film Transistor，缩写：TFT），是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层。

TFT是在基板 (如是应用在液晶显示器，则基板大多使用玻璃) 上沉积一层薄膜当做通道区。

大部份的TFT是使用氢化非晶硅 (a-Si:H) 当主要材料，因为它的能阶小于单晶硅 (Eg =1.12eV)，也因为使用a-Si:H当主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介电、电极及内部接线使用铟锡氧化物 (ITO) ，ITO则是透明的材料。

因为TFT基板不能忍受高的退火温度，所以全部的沉积制程必须在相对低温下进行。如化学气相沉积、物理气相沉积 (大多使用溅镀技术) 都是常使用的沉积制程。如要制作透明的TFT，第一个被研究出来的方法是使用氧化锌材料，此项技术由奥勒岗州立大学的研究员于2003年时发表。

很多人都知道薄膜晶体管主要的应用是TFT LCD，液晶显示器技术的一种。晶体管被作在面板里，这样可以减少各pixel间的互相干扰并增画面稳定度。大略是从2004年开始，大部份便宜的彩色LCD屏幕都是使用TFT技术的。连在乳线和癌症X-ray检查的数位X-ray摄影技术上也很常使用TFT面板。

新的AMOLED (主动阵列OLED) 屏幕也内建了TFT层。[

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