专利名称：用于形成接触通孔的方法专利类型：发明专利发明人：B·T·陈,S·萨严申请号：CN201510690193.2申请日：20151022公开号：CN105551970A公开日：20160504
摘要：描述一种用于形成接触通孔的方法，所述方法包括：提供基材，所述基材包含包埋于第一介电层中的多个接触件结构，所述接触件毗连所述第一介电层的上表面；在所述第一介电层的所述上表面上提供第二介电层；通过至少在对应于所述接触结构的位置处使所述第二介电层图案化来提供所述第二介电层中的接触通孔；其中使所述第二介电层图案化包括：使用DSA图案化技术。
申请人：IMEC非营利协会
地址：比利时勒芬
国籍：BE
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
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