钛薄膜的厚度可以根据具体的制程需求来确定，一般在几十纳米到几百纳米之间。具体的厚度取决于集成电路设计中的布局要求、信号传输性能以及制造工艺的等因素。 在光刻工艺中，首先将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用掩模板（mask）进行曝光，通过光刻胶的选择性显影，形成需要的图案。接下来，在暴露出来的区域上蒸镀或溅射一层钛薄膜，作为金属线路或连接器的材料。最后，通过化学腐蚀或机械研磨等方法去除多余的钛薄膜，得到所需的金属线路和连接器。
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