专利名称:利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化铟的方法专利类型:发明专利发明人:王烨
申请号:CN201610158183.9申请日:20160321公开号:CN105568221A公开日:20160511
摘要:本发明涉及一种利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化铟的方法,属于半导体材料领域,用纯度为99.99%的铟或氧化铟,制成直径1英寸、厚度0.25英寸的靶;用单晶或玻璃作为衬底,衬底超声波清洗后,在清洁溶剂中清洗20分钟,再用去离子水冲洗,最后用氮气干燥;靶和衬底放入到脉冲激光沉积设备的真空腔内;真空腔的初始压力为2×10托,溅射过程中设置氧气压力在5毫托~50托,温度在室温~900℃,激光能量为1~10毫焦每平方厘米,靶到衬底距离为10~80厘米。该方法用的激光是清洁的,只对待蒸镀的材料表面施加热量,来自加热源和支撑物等的污染减小到最低水平;蒸发速率高,过程容易控制,制备的一维纳米氧化铟不仅长度宽度形貌均匀,而且不会发生组分偏离现象。
申请人:王烨
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国籍:CN
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