利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化铟的方法[发明专利]

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专利名称：利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化铟的方法专利类型：发明专利发明人：王烨

申请号：CN201610158183.9申请日：20160321公开号：CN105568221A公开日：20160511

摘要：本发明涉及一种利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化铟的方法，属于半导体材料领域，用纯度为99.99％的铟或氧化铟，制成直径1英寸、厚度0.25英寸的靶；用单晶或玻璃作为衬底，衬底超声波清洗后，在清洁溶剂中清洗20分钟，再用去离子水冲洗，最后用氮气干燥；靶和衬底放入到脉冲激光沉积设备的真空腔内；真空腔的初始压力为2×10托，溅射过程中设置氧气压力在5毫托～50托，温度在室温～900℃，激光能量为1～10毫焦每平方厘米，靶到衬底距离为10～80厘米。该方法用的激光是清洁的，只对待蒸镀的材料表面施加热量，来自加热源和支撑物等的污染减小到最低水平；蒸发速率高，过程容易控制，制备的一维纳米氧化铟不仅长度宽度形貌均匀，而且不会发生组分偏离现象。

申请人：王烨

地址：300170 天津市河东区碧波园11楼3门4层

国籍：CN

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