专利名称：衬底结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：钟汇才,罗军,赵超,朱慧珑申请号：CN201410828203.X申请日：20141225公开号：CN105789026A公开日：20160720
摘要：本发明提出了一种衬底结构的制造方法，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的表面上形成孔；在硅衬底上形成外延层，该外延层为III族或V族的半导体材料。本发明中，孔使得硅衬底表面的部分晶格发生变形，在其上形成不同族的外延层后，可以吸收部分由于晶格不匹配造成的应力，释放硅与外延层间的应力。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京维澳专利代理有限公司
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