专利名称：一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构专利类型：发明专利
发明人：全知觉,陶喜霞,徐龙权,丁杰,莫春兰,张建立,王小兰,
刘军林,江风益
申请号：CN201710286225.1申请日：20170427公开号：CN106910804A公开日：20170630
摘要：本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
申请人：南昌大学,南昌黄绿照明有限公司
地址：330047 江西省南昌市南京东路235号
国籍：CN
代理机构：江西省专利事务所
代理人：张文
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