专利名称：使用单独三端非易失存储元件的存储器阵列及其形
成方法
专利类型：发明专利
发明人：威廉·R.·雷赫尔,汪礼康申请号：CN03158195.1申请日：20030917公开号：CN1490819A公开日：20040421
摘要：改进的非易失存储器阵列包括多个存储器单元，至少一个存储器单元包括用于存储至少一个存储器单元的逻辑状态的三端非易失存储元件。存储器阵列进一步包括多个在操作中耦合到存储器单元的写入线，用于在存储器阵列中选择性写入一或多个存储器单元的逻辑状态，多个在操作中耦合到存储器单元的位线和字线，用于选择性地读出和写入存储器阵列中的一或多个存储器单元的逻辑状态。存储器阵列被有利地构造成不需要在操作中耦合到至少一个存储器单元中相应的非易失存储元件的通过栅极。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：李德山
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