一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法

(12)发明专利说明书

(21)申请号 CN2015100437.X (22)申请日 2015.01.28

(71)申请人 山东阳谷恒晶光电有限公司

地址 252300 山东省聊城市阳谷县祥光经济开发区南北一路 (72)发明人 李光烈 刘学勇

(74)专利代理机构 济南金迪知识产权代理有限公司 代理人 吕利敏 (51)Int.CI

B24B29/02 B24B7/22 B24B49/12 B24D18/00 B08B3/04

(10)申请公布号 CN 1045194 A (43)申请公布日 2015.05.06

权利要求说明书 说明书 幅图

()发明名称

一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法

(57)摘要

本发明涉及一种磷酸二氘钾晶体的

抛光方法，包括：(1)制作抛光盘，其中，将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物加热，纯光学沥青的纯度范围为95％-100％，纯光学沥青与蜂蜡的重量比范围为

1：1-1：3,纯光学沥青与石蜡的重量比范围为1：3-1：5；(2)配制抛光液，将钻石粉与有机溶剂混合均匀，钻石粉与有机溶剂的质量比范围为1:200—1:300，即得抛光液；(3)抛光。抛光后的磷酸二氘钾晶体，平行度优于10秒，平面度优于λ/10633nm,波前畸变优于λ/8633nm,表面质量优于20/10，使用温度范围为-40～+50℃，达到了高性能激光系统的使用要求。 法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

权 利 要 求 说 明 书

1.一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法，其特征在于，具体步骤包括：

(1)制作抛光盘

a、将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物加热，纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物完全溶

化时搅拌均匀，纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物表面

的纯度范围为95％-100％，

沸腾时停止加热；其中，纯光学沥青

纯光学沥青与蜂蜡的重量比范围为1：1-1：3,纯光学沥青与石蜡的

b、将步骤(a)得到的纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物倒入平盘中，自然冷却至室温；

c、将步骤(b)得到的载有纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物的平盘在60-80℃条件下

d、利用平板将步骤(c)预热后得到的载有纯光学沥青与蜂蜡的混合物的平盘压平，冷

(2)配制抛光液

将钻石粉与有机溶剂混合均匀，钻石粉与有机溶剂的质量比范围为1:200—1:300； (3)抛光

取将步骤(2)得到的抛光液2-5滴，滴在步骤(1)得到的抛光盘上，在温度为25-28℃、

即得抛光液；

却至室温，去除平板，即得抛光盘；

预热10-30min；

重量比范围为1：3-1：5；

湿度≤40％条件下，转速为1-40转/min的抛光盘对磷酸二氘钾

检验磷酸二氘钾晶体抛光表面平行

差

晶体进行抛光，在抛光过程中

差、平面度、表面质量，使磷酸二氘钾晶体抛光表面平行

<10”,磷酸二氘钾晶体抛光表面平面度优于λ/10,磷酸二氘钾晶体抛光表面表面质量优

2.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，所述磷酸二氘钾晶体的抛光方法，具体

(4)去除磷酸二氘钾晶体表面污物、镀膜

去除步骤(3)抛光后得到的磷酸二氘钾晶体表面污物，镀膜，即得。

3.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，步骤a中，将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡

的混合物放入铝锅，利用功率为1000W电炉加热；步骤b中，

蜡的混合物的平盘水平放置超静室

蜡或石

步骤还包括：

于20/10。

将载有纯光学沥青与蜂蜡或石

内，自然冷却至室温；步骤c中，将载有纯光学沥青与蜂 蜡的混合物的平盘在60-80℃条件下水中预热10-30min。

4.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，步骤(1)中，所述平盘为周围有报纸

围成圆筒的铸铁平盘；步骤d中，所述平板为光滑圆玻璃板。

5.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，步骤(2)中，所述有机溶剂为无水乙

醇、无水丙醇或乙二醇中的任一种；所述钻石粉的规格为W1～

W0.125。

6.根据权利要求5所述抛光方法，其特征在于，所述钻石粉的规格为W0.25。

7.根据权利要求1所述抛光方法，其特征在于，步骤(2)中，将钻石粉与有机溶剂混

合后放入小型超声波清洗机内超声震荡10-20分钟；步骤(3)中，抛光

复推拉运动；利用光学比较测角仪测试磷

仪测试磷酸二

方式为反向转动或往

酸二氘钾晶体抛光表面平行差，利用激光平面干涉

氘钾晶体抛光表面平面度，利用10倍放大镜目测磷酸二氘钾晶体抛光表面质

8.根据权利要求2所述抛光方法，其特征在于，步骤(1)所述制作抛光盘之前对磷酸

二氘钾晶体进行磨砂，具体步骤包括：利用石蜡或者石蜡、松香混合

结在KDP套圈的中心，在砂纸上进行磨

量。

胶将磷酸二氘钾晶体粘 砂。

9.根据权利要求8所述抛光方法，其特征在于，步骤(4)中，去除磷酸二氘钾晶体表

e、利用功率为250W的红外灯对经过步骤(3)得到的磷酸二氘钾晶体加热，直至石蜡或 温；

f、将磷酸二氘钾晶体放入培养皿，向培养皿加入分析纯试剂至淹没磷酸二氘钾晶体，将

磷酸二氘钾晶体浸泡1小时，用高级脱脂棉或无尘软布

者石蜡、松香混合胶溶化，将磷酸二氘钾晶体取出，冷却至室

面污物，具体步骤包括：

将磷酸二氘钾晶体表面的污物擦去；

g、利用分析纯试剂对磷酸二氘钾晶体进行第二次浸泡，浸泡时间为30分钟，用高级脱

脂棉或无尘软布蘸取分析纯乙酸乙酯试剂多次擦拭磷酸二氘钾

体两抛光面无任何污物；所述分析

析纯醋

晶体表面，直至磷酸二氘钾晶

纯试剂为分析纯乙酸乙酯试剂、分析纯醋酸乙酯试剂、分

酸丙酯试剂、分析纯醋酸丁酯试剂，分析纯乙酸丙酯试剂、分析纯乙酸丁酯试剂的任

10.根据权利要求2任一所述抛光方法，其特征在于，步骤(4)中，对磷酸二氘钾晶体

镀膜，具体步骤包括：将去除表面污物的磷酸二氘钾晶体放入

膜程序，调整温度至80-100℃，

一种。

镀膜机，启动镀膜机，设置镀

进行真空蒸镀，所镀膜系为：AR/AR@10±10nm，要求R<0.5％，

其中，AR为增透膜，R为反射率。

说 明 书

技术领域

本发明涉及一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法，更详细地说，涉及质软、质脆、极易潮解 背景技术

磷酸二氘钾晶体(KD₂PO₄)简称DKDP晶体或KD*P晶体，是一种性能优良的电光材料和非

线性激光材料，其电光系数是磷酸二氢钾

电光Q开关、高速

的晶体抛光方法。

晶体的2倍。近几年来，被广泛的用于电光调制、

摄影、电光偏转、激光测距、高功率激光频率转换及激光惯性约束核聚变

点火领域中，而且其应用范围正在进一步扩大。目前，磷酸二氘钾晶体的生

但是，由于抛光困难，在高性能激光设备、激光兵器测

的应用受到了。磷酸二氘钾晶

将磨砂合格的

长技术已较成熟，

距设备、激光核聚变点火装置等方面

体质地脆软，极易潮解、开裂。传统的抛光方法是：(1)

磷酸二氘钾晶体在绸布盘上，用无水乙醇稀释的氧化铝抛光液抛光，绸布盘静

止不转动，只靠磷酸二氘钾晶体运动来完成抛光。(2)抛完光的磷酸二氘钾

乙醚清洗或不清洗。(3)磷酸二氘钾晶体器件镀膜。磷

或采用化学法镀多孔SiO2增透膜。

布，且抛光盘

晶体用无水乙醇、

酸二氘钾晶体器件不镀膜直接应用，

采用传统方法抛光的磷酸二氘钾晶体，因抛光盘载体是绸

没有转动，达不到高光学级的平面要求。磷酸二氘钾晶体抛光完工后用无水乙

醇、乙醚清洗，抛光表面很容易起雾，不能应用在高功率激光系统中。磷酸

不镀膜，会造成激光系统输出能量偏低和磷酸二氘钾晶

SiO2增透膜，镀膜条件难以控制，

有研究称采用

二氘钾晶体器件

体器件使用寿命缩短。化学法镀多孔

批次间膜层质量不稳定，只处在研究阶段。二十一世纪初

超精密金刚石刀对KDP抛光，且只对KDP抛光，但抛光表面达不到λ/10的要

求，抛光成本也高。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明公开了一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法；

本发明所述抛光方法是一种可靠性高、重复性好的高光学质量的磷酸二氘钾晶体抛光方

本发明的技术方案如下：

一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法，具体步骤包括：

(1)制作抛光盘

a、将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物加热，纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物完全溶

化时搅拌均匀，纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物表面沸腾时

的纯度范围为95％-100％，纯光学沥青

重量比范围为1：3-

法。

停止加热；其中，纯光学沥青

与蜂蜡的重量比范围为1：1-1：3,纯光学沥青与石蜡的 1：5；

b、将步骤(a)得到的纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物倒入平盘中，自然冷却至室温；

c、将步骤(b)得到的载有纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物的平盘在60-80℃条件下

d、利用平板将步骤(c)预热后得到的载有纯光学沥青与蜂蜡的混合物的平盘压平，冷

却至室温，去除平板，即得抛光盘；

预热10-30min；

(2)配制抛光液

将钻石粉与有机溶剂混合均匀，钻石粉与有机溶剂的质量比范围为1:200—1:300；即得 (3)抛光

取步骤(2)得到的抛光液2-5滴，滴在步骤(1)得到的抛光盘上，在温度为25-28℃、

湿度≤40％条件下，转速为1-40转/min的抛光盘对磷酸二氘钾晶体进行抛光，

检验磷酸二氘钾晶体抛光表面平行差、平面度、表面质

差<10”,磷酸二氘钾晶体抛光表

于20/10。

抛光液；

在抛光过程中

量，使磷酸二氘钾晶体抛光表面平行

面平面度优于λ/10,磷酸二氘钾晶体抛光表面表面质量优

根据本发明优选的，所述磷酸二氘钾晶体的抛光方法，具体步骤还包括：

(4)去除磷酸二氘钾晶体表面污物、镀膜

去除步骤(3)抛光后得到的磷酸二氘钾晶体表面污物，镀膜，即得。

对磷酸二氘钾晶体镀膜之前，磷酸二氘钾晶体的透过率范围为90％-91％，对磷酸二氘钾

晶体镀膜之后，磷酸二氘钾晶体的透过率范围为98％-99.5％，

也使磷酸二氘钾晶体表面不被潮解。

增加了磷酸二氘钾晶体透过率，

根据本发明优选的，步骤a中，将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物放入铝锅，利用功

率为1000W电炉加热；步骤b中，将载有纯光学沥青与蜂蜡或石蜡

超静室内，自然冷却至室温；步骤c中，将载有

60-80℃条件下水中预热10-

的混合物的平盘水平放置

纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物的平盘在

30min。

根据本发明优选的，步骤(1)中，所述平盘为周围有报纸围成圆筒的铸铁平盘；步骤d

根据本发明优选的，步骤(2)中，所述有机溶剂为无水乙醇、无水丙醇或乙二醇中的任

根据本发明优选的，步骤(2)中，将钻石粉与有机溶剂混合后放入小型超声波清洗机内

根据本发明优选的，步骤(3)中，抛光方式为反向转动或往复推拉运动；利用光学比较

测角仪测试磷酸二氘钾晶体抛光表面平行差，利用激光平面干涉仪测

表面平面度，利用10倍放大镜目测磷酸二氘钾

超声震荡10-20分钟。

一种；所述钻石粉的规格为W1～W0.125，进一步优选为W0.25。

中，所述平板为光滑圆玻璃板。

试磷酸二氘钾晶体抛光 晶体抛光表面质量。

根据本发明优选的，步骤(1)所述制作抛光盘之前对磷酸二氘钾晶体进行磨砂，具体步

骤包括：利用石蜡或者石蜡、松香混合胶将磷酸二氘钾晶体粘结在

上进行磨砂。

KDP套圈的中心，在砂纸

根据本发明优选的，步骤(4)中，去除磷酸二氘钾晶体表面污物，具体步骤包括：

e、利用功率为250W的红外灯对经过步骤(3)得到的磷酸二氘钾晶体加热，直至石蜡或

f、将磷酸二氘钾晶体放入培养皿，向培养皿加入分析纯试剂至淹没磷酸二氘钾晶

者石蜡、松香混合胶溶化，将磷酸二氘钾晶体取出，冷却至室温；

体，将 磷酸二氘钾晶体浸泡1小时，用高级脱脂棉或无尘软布将磷酸

二氘钾晶体表面的污物擦去；

g、利用分析纯试剂对磷酸二氘钾晶体进行第二次浸泡，浸泡时间为30分钟，用高级脱

脂棉或无尘软布蘸取分析纯乙酸乙酯试剂多次擦拭磷酸二氘钾晶体表

体两抛光面无任何污物；所述分析纯试剂为分析

析纯醋酸丙酯试剂、分析纯

一种。

面，直至磷酸二氘钾晶

纯乙酸乙酯试剂、分析纯醋酸乙酯试剂、分

醋酸丁酯试剂，分析纯乙酸丙酯试剂、分析纯乙酸丁酯试剂的任

根据本发明优选的，步骤(4)中，对磷酸二氘钾晶体镀膜，具体步骤包括：

将去除表面污物的磷酸二氘钾晶体放入镀膜机，启动镀膜机，设置镀膜程序，调整温度

至80-100℃，进行真空蒸镀，所镀膜系为：AR/AR@10±10nm，要

增透膜，R为反射率。

求R<0.5％，其中，AR为

本发明的有益效果为：

抛光后的磷酸二氘钾晶体，平行度优于10秒，平面度优于λ/10@633nm,波前畸变优于

λ/8@633nm,表面质量优于20/10(MIL-PRF-13830B)，使用温度范围为

到了高性能激光系统的使用要求。

-40～+50℃，完全达

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步限定，但不限于此。 实施例1

一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法，具体步骤包括：

对磷酸二氘钾晶体进行磨砂，具体步骤包括：利用石蜡将磷酸二氘钾晶体粘结在KDP套

(1)制作抛光盘

a、将纯光学沥青与蜂蜡的混合物(重量比为1：1)放入铝锅，利用功率为1000W电炉

加热，纯光学沥青与蜂蜡的混合物完全溶化时搅拌均匀，纯光学沥青

腾时停止加热，其中，纯光学沥青的纯度为

圈的中心，在砂纸上进行磨砂；

与蜂蜡的混合物表面沸 95％；

b、将步骤(a)得到的纯光学沥青与蜂蜡的混合物倒入周围有报纸围成圆筒的铸铁平盘

c、将步骤(b)得到的载有纯光学沥青与蜂蜡的混合物的平盘在60℃条件下预热30min；

d、利用光滑圆玻璃板将步骤(c)预热后得到的载有纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物

(2)配制抛光液

将规格为W0.25钻石粉与有机溶剂(质量比为1:200)混合均匀，所述有机溶剂为无水

乙醇，将钻石粉与有机溶剂混合后放入小型超声波清洗机内超声震荡

的平盘压平，冷却至室温，去除光滑圆玻璃板，即得抛光盘；

中，水平放置超静室内，自然冷却至室温；

10分钟，即得抛光液； (3)抛光

取步骤(2)得到的抛光液2滴(0.1ml)，滴在步骤(1)得到的抛光盘上，在温度为25℃、

湿度40％条件下，转速为20转/min的抛光盘对磷酸二氘钾晶体进行

动，在抛光过程中检验磷酸二氘钾晶体抛光表面

测角仪测试磷酸二氘钾晶体

表面平

抛光，抛光方式为反向转

平行差、平面度、表面质量，利用光学比较

抛光表面平行差，利用激光平面干涉仪测试磷酸二氘钾晶体抛光

面度，利用10倍放大镜目测磷酸二氘钾晶体抛光表面质量，使磷酸二氘钾晶体抛光表

面平行差<10”,磷酸二氘钾晶体抛光表面平面度优于λ/10,磷酸二氘

质量优于20/10；

钾晶体抛光表面表面

(4)去除磷酸二氘钾晶体表面污物、镀膜

去除步骤(3)抛光后得到的磷酸二氘钾晶体表面污物，镀膜，即得。

去除步骤(3)抛光后得到的磷酸二氘钾晶体表面污物，具体步骤包括：

e、利用功率为250W的红外灯对经过步骤(3)得到的磷酸二氘钾晶体加热，直至石蜡溶

f、将磷酸二氘钾晶体放入培养皿，向培养皿加入分析纯试剂至淹没磷酸二氘钾晶体，将

磷酸二氘钾晶体浸泡1小时，用高

化，将磷酸二氘钾晶体取出，冷却至室温；

级脱脂棉将磷酸二氘钾晶体表面的污物擦去；

g、利用分析纯试剂对磷酸二氘钾晶体进行第二次浸泡，浸泡时间为30分钟，用高级脱

脂棉蘸取分析纯乙酸乙酯试剂多次擦拭磷酸二氘钾晶体表面，直至磷

无任何污物；所述分析纯试剂为分析纯乙酸乙酯

酸二氘钾晶体两抛光面 试剂；

对磷酸二氘钾晶体镀膜，具体步骤包括：

将去除表面污物的磷酸二氘钾晶体放入镀膜机，启动镀膜机，设置镀膜程序，调整温度

至80℃，进行真空蒸镀，所镀膜系为：AR/AR@10±10nm，要求

膜，R为反射率。

R<0.5％，其中，AR为增透

对磷酸二氘钾晶体镀膜之前，磷酸二氘钾晶体的透过率范围为90％-91％，对磷酸二氘钾

晶体镀膜之后，磷酸二氘钾晶体的透过率范围为98％-99.5％，

也使磷酸二氘钾晶体表面不被潮解。

增加了磷酸二氘钾晶体透过率， 实施例2

一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法，具体步骤包括：

对磷酸二氘钾晶体进行磨砂，具体步骤包括：利用石蜡、松香混合胶将磷酸二氘钾晶体

(1)制作抛光盘

a、将纯光学沥青与石蜡的混合物(重量比为1：3)放入铝锅，利用功率为1000W电炉

加热，纯光学沥青与石蜡的混合物完全溶化时搅拌均匀，纯光学沥青

腾时停止加热，其中，纯光学沥青的纯度为

粘结在KDP套圈的中心，在砂纸上进行磨砂；

与石蜡的混合物表面沸 100％；

b、将步骤(a)得到的纯光学沥青与石蜡的混合物倒入周围有报纸围成圆筒的铸铁平盘

c、将步骤(b)得到的载有纯光学沥青与石蜡的混合物的平盘在60℃条件下预热30min；

中，水平放置超静室内，自然冷却至室温；

d、利用光滑圆玻璃板将步骤(c)预热后得到的载有纯光学沥青与石蜡的混合物的平盘

(2)配制抛光液

将规格为W0.25钻石粉与有机溶剂(质量比为1:200)混合均匀，所述有机溶剂为无水

乙醇，将钻石粉与有机溶剂混合后放入小型超声波清洗机内超声震荡

压平，冷却至室温，去除光滑圆玻璃板，即得抛光盘；

10分钟，即得抛光液； (3)抛光

取步骤(2)得到的抛光液2滴(0.1ml)，滴在步骤(1)得到的抛光盘上，在温度为25℃、

湿度40％条件下，转速为20转/min的抛光盘对磷酸二氘钾晶体进行

动，在抛光过程中检

抛光，抛光方式为反向转

验磷酸二氘钾晶体抛光表面平行差、平面度、表面质量，利用光学比较

测角仪测试磷酸二氘钾晶体抛光表面平行差，利用激光平面干涉仪测试磷酸

表面平面度，利用10倍放大镜目测磷酸二氘钾晶体抛

面平行差<10”,磷酸二氘钾晶体

质量优于

二氘钾晶体抛光

光表面质量，使磷酸二氘钾晶体抛光表

抛光表面平面度优于λ/10,磷酸二氘钾晶体抛光表面表面 20/10；

(4)去除磷酸二氘钾晶体表面污物、镀膜

去除步骤(3)抛光后得到的磷酸二氘钾晶体表面污物，具体步骤包括：

e、利用功率为250W的红外灯对经过步骤(3)得到的磷酸二氘钾晶体加热，直至石蜡溶

化，将磷酸二氘钾晶体取出，冷却至室温；

f、将磷酸二氘钾晶体放入培养皿，向培养皿加入分析纯试剂至淹没磷酸二氘钾晶体，将

磷酸二氘钾晶体浸泡1小时，用高级脱脂棉将磷酸二氘钾晶体

表面的污物擦去；

g、利用分析纯试剂对磷酸二氘钾晶体进行第二次浸泡，浸泡时间为30分钟，用高级脱

脂棉蘸取分析纯乙酸乙酯试剂多次擦拭磷酸二氘钾晶体表面，直至磷

无任何污物；所述分析纯试剂为分析纯乙酸乙酯

酸二氘钾晶体两抛光面 试剂；

对磷酸二氘钾晶体镀膜，具体步骤包括：

将去除表面污物的磷酸二氘钾晶体放入镀膜机，启动镀膜机，设置镀膜程序，调整温度

至80℃，进行真空蒸镀，所镀膜系为：AR/AR@10±10nm，要求

膜，R为反射率。

R<0.5％，其中，AR为增透

对磷酸二氘钾晶体镀膜之前，磷酸二氘钾晶体的透过率范围为90％-91％，对磷酸二氘钾

晶体镀膜之后，磷酸二氘钾晶体的透过率范围为98％-99.5％，

也使磷酸二氘钾晶体表面不被潮解。

增加了磷酸二氘钾晶体透过率， 实施例3

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，纯光学沥青的纯度为97％。 实施例4

根据实施例1所述抛光方法，其区别在于，纯光学沥青与蜂蜡的重量比范围为1：3。

实施例5

根据实施例1所述抛光方法，其区别在于，纯光学沥青与蜂蜡的重量比范围为1：2。 实施例6

根据实施例2所述抛光方法，其区别在于，纯光学沥青与石蜡的重量比范围为1：5。 实施例7

根据实施例2所述抛光方法，其区别在于，纯光学沥青与石蜡的重量比范围为1：4。 实施例8

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，步骤c中，将步骤(b)得到的载有纯光 实施例9

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，步骤c中，将步骤(b)得到的载有纯光

实施例10

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，步骤(2)中，规格为W0.25钻石粉

学沥青与蜂蜡的混合物的平盘在70℃条件下预热20min。

学沥青与蜂蜡的混合物的平盘在80℃条件下预热10min。

与有 机溶剂的质量比为1:300，所述有机溶剂为无水丙醇，将钻石粉与有

超声波清洗机内超声震荡20分钟，即得抛光液。

机溶剂混合后放入小型

实施例11

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，步骤(2)中，规格为W0.25钻石粉与有

机溶剂的质量比为1:250，所述有机溶剂为乙二醇，将钻石粉与有机

声波清洗机内超声震荡15分钟，即得抛光液。

溶剂混合后放入小型超

实施例12

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，步骤(3)中，取步骤(2)得到的抛光

液5滴(0.25ml)，滴在步骤(1)得到的抛光盘上，在温度为28℃、湿度40％

为40转/min的抛光盘对磷酸二氘钾晶体进行抛光，抛

条件下，转速

光方式为往复推拉运动。

实施例13

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，步骤(3)中，取步骤(2)得到的抛光

液3滴(0.15ml)，滴在步骤(1)得到的抛光盘上，在温度为26℃、湿度40％

为30转/min的抛光盘对磷酸二氘钾晶体进行抛光，抛

条件下，转速

光方式为反向转动。

实施例14

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯醋酸乙酯试剂。

实施例15

根据实施例14所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯醋酸丙酯试剂。

实施例16

根据实施例14所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯醋酸丁酯试剂。

实施例17

根据实施例14所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯乙酸丙酯试剂。

实施例18

根据实施例14所述抛光方法，其区别在于，所述分析纯试剂为分析纯乙酸丁酯试剂。

实施例19

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，对磷酸二氘钾晶体镀膜，具体步骤包括：

将去除表面污物的磷酸二氘钾晶体放入镀膜机，启动镀膜机，设置镀膜程序，调整温度

至100℃，进行真空蒸镀，所镀膜系为：AR/AR@10±10nm，要求

膜，R为反射率。

R<0.5％，其中，AR为增透

实施例20

根据实施例1或2所述抛光方法，其区别在于，对磷酸二氘钾晶体镀膜，具体步骤包括：

将去除表面污物的磷酸二氘钾晶体放入镀膜机，启动镀膜机，设置镀膜程序，调整温度

至90℃，进行真空蒸镀，所镀膜系为：AR/AR@10±10nm，要求

膜，R为反射率。

R<0.5％，其中，AR为增透