一种微纳结构的惯性传感器本体及其制作方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200510071148.5 （22）申请日 2005.05.20 （71）申请人 清华大学

地址 100084 北京市100084-82号

（10）申请公布号 CN1865124A （43）申请公布日 2006.11.22

（72）发明人 叶雄英;谭苗苗;周兆英;王晓皓

（74）专利代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人 高存秀

（51）Int.CI

B81B3/00; B82B1/00; G01C19/00; G01P15/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种微纳结构的惯性传感器本体及其制作方法

（57）摘要

本发明涉及一种微纳结构的惯性传感器本

体包括：硅基底和在其上设置的绝缘层，2个条带形电极设置在绝缘层上部的两边；2组一维纳米材料的谐振梁分别搭放在质量块与第一电极，和质量块与第二电极之间，或一组谐振梁经过质

量块从第一电极搭到第二电极上，谐振梁在与电极和质量块的接触面处固定；质量块位于绝缘层上部的中心处，质量块在谐振梁的支撑下悬空；整个基底作为驱动电极，硅基底上的绝缘层开有一个窗形成压焊盘，作为底电极的引出接头；第一电极和第二电极分别有引线与压焊盘相连；同时，一维纳米材料也作为质量块与电极和电极实现电连接的电引线。本发明的制法包括以硅片为基底材料，对硅片表面微加工和进行一维纳米材料的定向组装实现。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2006-11-22 公开

2007-01-17 实质审查的生效 2009-07-29 授权 2013-07-10

专利权的终止

法律状态

公开

实质审查的生效 授权 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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