专利名称：半导体存储器装置以及半导体集成电路专利类型：发明专利发明人：山内宽行
申请号：CN200510070161.9申请日：20030722公开号：CN1716445A公开日：20060104
摘要：一种半导体存储装置，多个位线(5)中非选择位线的预充电电位，由HPR电压源(2)设定成比确定存储在存储器单元中的数据高电位侧的电位的电源电压(Vcc)(0.5V～1.2V范围内的低电压，例如0.8V)要低的电位(例如1/2Vcc＝0.4V)。多个字线(4)中非选择字线的电位，由NWL电压源设定成给定负电位(例如－1/4Vcc＝－0.2V)。上述非选择位线的预充电电位(0.4V)非选择字线的负电位(－0.2V)的绝对值的合计值，设定成低于电源电压(Vcc)(0.8V)。从而在半导体存储装置中，在有效限制多个存储器单元的截止漏电流的同时、可以有效限制栅极漏电流以及GIDL漏电流。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汪惠民
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