专利名称：一种新型的GaN基发光二极管表面粗化方法专利类型：发明专利发明人：郝锐,马学进,吴质朴申请号：CN201210114556.4申请日：20120417公开号：CN103378253A公开日：20131030
摘要：本发明涉及一种新型的可增加光提取效率的GaN基发光二极管表面粗化方法，该方法包括：在衬底上生长N型GaN材料，发光活化层、P型GaN材料；在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的P型透明电极；在透明电极上制备一层SiO纳米球；以SiO纳米球作为掩膜刻蚀P型透明电极，清洗去掉残余SiO纳米球，获得具有粗化出光表面的LED器件。该发明可以有效提高二极管的光提取效率，并且制备方法简单，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。
申请人：江门市奥伦德光电有限公司
地址：529000 广东省江门市高新区龙溪路34号
国籍：CN
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