专利名称：一种高传输速度基于GeSbTe相变材料的薄膜器件专利类型：发明专利
发明人：陈星源,朱伟玲,徐祥福申请号：CN202010342417.1申请日：20200427公开号：CN111326653A公开日：20200623
摘要：本发明公开了一种高传输速度基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，包括依次设置的衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，二硫化钼层为复合层状结构，二硫化钼层包括上MoS膜层、夹心MoS膜层和下MoS膜层，上MoS膜层、下MoS膜层是通过磁控溅射方式形式的2H相MoS膜层，夹心MoS膜层是通过化学液相剥离后涂覆形成的2H‑1T共相MoS膜层。本发明的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有传输速度快、产品一致性好和使用寿命长特点。
申请人：广东石油化工学院
地址：525000 广东省茂名市官渡二路139号
国籍：CN
代理机构：深圳市千纳专利代理有限公司
代理人：童海霓
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