内置半导体IC模块及其制造方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：内置半导体IC模块及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：高谷稔,阿部寿之,铃木圭,高野弘介,川田贤一,远藤敏

一

申请号：CN200410055709.8申请日：20040730公开号：CN1578601A公开日：20050209

摘要：提供一种内置半导体IC模块，使用电极节距非常窄的半导体IC来构成内置半导体IC模块。该内置半导体IC模块包括：树脂层(140、150)；贯通树脂层(140、150)设置的柱电极(120)；以及为埋入在树脂层(140)和树脂层(150)之间而被固定的、通过研磨而薄膜化的半导体IC(130)。在本发明中，由于在将设置于半导体IC(130)中的柱状凸起(132)相对于柱电极(120)进行定位，所以柱状凸起(132)的平面位置实质上被固定，因此，可使用100μm以下、特别是60μm左右的电极节距非常窄的半导体IC。

申请人：TDK株式会社

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：永新专利商标代理有限公司

代理人：胡建新

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