调制器

2010年美国华盛顿大学的R. Ding等人研究了带宽为3GHZ推挽式结构的近红外电光调制器。这种结构的调制器的最高速率相比以前的硅聚合物系统结构提高了几个数量级。最近研究的狭缝波导电光调制器的半波电压为0.25V，大约比典型的商用调制器的电压低20倍。针对调制速率低（1KHZ）的问题，利用电光聚合物的二阶非线性性质能够提高速率。可以通过减小金属到波导的间隙和轻掺杂（降低连接阻抗）的方法提高器件的性能。( Demonstration of a low VπL modulator with GHz bandwidth based on electro-optic

polymer-clad silicon slot waveguides)

2010年美国华盛顿大学的Ran Ding等人研究了在SOI平台上的条状狭缝波导的低损耗特性。电光聚合物覆盖层硅狭缝波导可用于设计新型的调制器，具有高带宽和低驱动电压的优势，而实现这种器件的关键是降低光的插入损耗。文中报道的低损耗波导可用于实现高带宽的调制器。在尺寸为40nm的条状设置，硅层厚度约为220nm，狭缝为200nm，波长在1550nm附近的波导损耗为6.5±0.2dB/cm。研究发现，制作薄的条状部分会使损耗降低。

第一个非线性聚合物槽波导MZ调制器的半波电压为0.25V，但速度很低，为了提高调制带宽，必须降低狭缝臂和驱动电极之间的电接触阻抗，于是采用电子束光刻深刻蚀臂的方法达到，或是用光子晶体约束横向模式。(Low-loss strip-loaded slot waveguides in

Silicon-on-Insulator------Ran Ding、Tom Baehr-Jones、Woo-Joong Kim)

2010年美国Colorado大学Xi Chen等人研究了聚合物覆盖层狭缝调制器。

单一通道的色散调制器虽然表现出了良好的特性，但是它不能用在WDM系统的纳米通道空间，因此，另一种选择是在狭缝波导中的狭缝区引入非线性材料。

（Polymer-Clad Silicon on Insulator Slot Modulator---- Xi Chen、David S. Espinoza、Eric F. Dudley、Zheng Li、Moustafa Mohamed、Yonghao Cui、Wounjhang Park、Li Shang、Alan R. Mickelson）

2011年Colorado大学Xi Chen, David S. Espinoza等人研究了聚合物复合的狭缝MZ型相位调制器。（Polymer-Clad Silicon on Insulator Slot Modulator------ Xi Chen, David S. Espinoza, Eric F. Dudley, Zheng Li）