应变沟道MOS元件[发明专利]

来源：好走旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：应变沟道MOS元件专利类型：发明专利发明人：陈豪育,杨富量申请号：CN200710138023.9申请日：20070802公开号：CN1011128A公开日：20080206

摘要：一种选择性应变MOS元件，其中该MOS元件可为由一组NMOS元件以及PMOS元件所组成的选择性应变PMOS元件，且其不影响NMOS元件上的应变。其形成方法包括提供半导体基材，其中半导体基材包括底半导体层、配置于该底半导体层上的绝缘层以及配置于该绝缘层上的顶半导体层；图案化该顶半导体层以及绝缘层用以形成MOS作用区；形成MOS元件于MOS作用区上，且MOS元件包括栅极结构以及沟道层；以及进行氧化工艺，将一部份的顶半导体层氧化用以在沟道层上产生应变。本发明不仅克服了现有技术的缺点以及不足，并提升了元件性能且改善其工艺。

申请人：积体电路制造股份有限公司

地址：中国新竹市新竹科学工业园区力行六路8号

国籍：CN

代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司

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