专利名称：存储器件专利类型：发明专利
发明人：金光洙,姜信焕,张在薰,金森宏治申请号：CN201710480197.7申请日：20170622公开号：CN107527915A公开日：20171229
摘要：一种存储器件包括：多个栅电极层，堆叠在基板上；多个沟道层，穿过所述多个栅电极层；栅绝缘层，在所述多个栅电极层和所述多个沟道层之间；以及公共源极线，在基板上邻近于栅电极层。公共源极线包括在第一方向上交替地布置并在垂直于基板的顶表面的方向上具有不同高度的第一部分和第二部分。栅绝缘层包括多个垂直部分和水平部分。多个垂直部分围绕多个沟道层中的相应沟道层。水平部分平行于基板的顶表面延伸。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：屈玉华
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