专利名称：一种半导体器件γ射线辐射响应的实时在线测试系
统
专利类型：发明专利发明人：慕轶非,赵策洲申请号：CN201610518949.X申请日：20160705公开号：CN105974294A公开日：20160928
摘要：本发明公开了一种半导体器件γ射线辐射响应的实时在线测试系统，包括半导体器件γ射线测试探针台和提供偏压‑脉冲测试的测量模块，所述测试探针台上安装有内置放射源的铅容器、自动取片器、和四个可程控的探针臂，其中三个探针臂上分别安装有一支探针，另一个探针臂上安装有显微镜，三支探针分别与所述偏压‑脉冲测量模块连接。本发明对半导体器件进行高精度远程置片、扎针，之后通过可程控的提供偏压‑脉冲测试的测量模块对半导体器件辐射损伤进行在线测试，并可以在待测器件被辐射的同时施加偏压，快速保存测量数据。使用该系统置片、扎针、取片精准高效，提高了测试效率与测试精度，避免了传统辐射测量手段带来的辐射损伤退化。
申请人：西交利物浦大学
地址：215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：范晴
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