（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201280061973.5 （22）申请日 2012.12.06 （71）申请人 LG矽得荣株式会社
地址 韩国庆尚北道
（10）申请公布号 CN103999197A
（43）申请公布日 2014.08.20
（72）发明人 李在桓;崔恩硕
（74）专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 归莹
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
单片晶圆蚀刻设备
（57）摘要
提出了一种每次蚀刻一片晶圆的单片晶圆
蚀刻设备。根据本发明，所述单片晶圆蚀刻设备不仅能够甚至在产生气体(蚀刻反应的副产品)的情况下通过振动所述晶圆来排放气体，并且还可防止所述气体吸附在所述晶圆的表面上。此外，由于所述单片晶圆蚀刻设备可对所述晶圆的各个区域进行直接加热，所以甚至在由于蚀刻进行的同时蚀刻溶剂从所述晶圆的中心朝向圆周方向移动而导致蚀刻温度从所述晶圆的中心朝向圆周方
向逐渐增加的情况下，所述单片晶圆蚀刻设备可通过从圆周方向朝向所述晶圆的中心以温度增加的方式进行加热来均衡地维持反应温度。因此所述单片晶圆蚀刻设备不仅能够在所述晶圆的任何位置处维持均衡的蚀刻程度，并且还能够提高平整度。
法律状态
法律状态公告日2014-08-20 2014-09-17 2016-08-24
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
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公开
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权利要求说明书
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说明书
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