专利名称：半导体装置及场效应晶体管专利类型：发明专利
发明人：袁锋,陈宏铭,李宗霖,张长昀,万幸仁申请号：CN201010288100.0申请日：20100919公开号：CN102034868A公开日：20110427
摘要：本发明关于鳍式场效应晶体管的隔离结构。本发明公开了一种半导体装置及场效应晶体管，该鳍式场效应晶体管包括含一主要表面的基材；多个鳍式结构，突出此基材的主要表面，其中每个鳍式结构均包含由一过渡位置所分离的上部及下部，此过渡位置位于鳍式结构的侧壁与基材主要表面夹角85度处，其中此上部具有与此基材主要表面实质上垂直的侧壁及具有第一宽度的顶面，此下部具有位于此上部的两侧锥形侧壁及具有第二宽度的底部，此第二宽度大于此第一宽度；及多个隔离结构位于此些鳍式结构之间，其中每个隔离结构均自此基材的此主要表面延伸至过渡位置上方的一点。本发明可用以形成或制造用于无隔离凹陷的鳍式场效应晶体管的鳍式结构。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
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