专利名称：双极晶体管及其制作方法专利类型：发明专利发明人：不公告发明人申请号：CN201711397390.0申请日：20171221公开号：CN108109916A公开日：20180601
摘要：本发明涉及一种双极晶体管及其制作方法。所述制作方法中，发射极多晶硅的制作包括以下步骤：在所述氧化层、所述有源区及P型接触区上形成氧化硅；对所述氧化硅进行刻蚀，从而形成贯穿所述氧化硅的两个第三开口，所述两个第三开口位于所述两个P型接触区之间；在所述第三开口中形成氮化硅；在所述氧化硅及所述氮化硅上形成第二光刻胶，所述第二光刻胶具有对应所述两个氮化硅之间的第四开口；去除所述氮化硅之间的氧化硅，所述氮化硅围成第五开口；在所述第五开口处形成具有N型掺杂的多晶硅。通过所述氮化硅对发射区硅片进行保护，避免氧化物刻蚀工艺对发射区造成损失，提升器件性能。
申请人：深圳市晶特智造科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼
国籍：CN
代理机构：深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹明兰
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