一种与硅双极工艺兼容的光电探测传感器[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种与硅双极工艺兼容的光电探测传感器专利类型：实用新型专利发明人：尹洪剑

申请号：CN2015206303.8申请日：20150816公开号：CN204946901U公开日：20160106

摘要：本实用新型公开了一种与硅双极工艺兼容的光电探测传感器，包括第一光电探测器和第二光电探测器；所述第一光电探测器包括第一器件区，第一光电探测器的第一器件区由NPN晶体管的集电区形成，M个第一光电探测器的第二器件区制作在第一光电探测器的第一器件区内，M为小于10的自然数，所述第一光电探测器的第二器件区由NPN晶体管的基区形成，第二光电探测器结构与第一光电探测器结构相同；第二光电探测器表面覆盖有铝膜。本实用新型具有在获得更高量子效率方面具有明显优势的有益效果，并且具有响应速度快的有益效果。

申请人：重庆电子工程职业学院

地址：401331 重庆市沙坪坝区大学城东路76号

国籍：CN

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