专利名称：一种耐高温碳化硅压力传感器及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：赵玉龙,王鲁康,赵友,龚涛波申请号：CN202010469840.8申请日：20200528公开号：CN111707404A公开日：20200925
摘要：本发明公开了一种耐高温碳化硅压力传感器及其制备方法，该传感器利用4H‑SiC体型引线部分代替金属电路的新型结构，在N型高掺杂外延层刻蚀出4H‑SiC体型引线，4H‑SiC体型引线和金属焊盘之间通过欧姆接触区实现电连接，取代了金属焊盘和4H‑SiC压敏电阻条之间的全金属电路连接，有效提高了传感器电路连接的高温稳定性，并为进一步的直接键合提供了均质的4H‑SiC接触面。
申请人：西安交通大学
地址：710049 陕西省西安市咸宁西路28号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：姚咏华
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容