专利名称：薄膜形成装置专利类型：实用新型专利
发明人：渡边健,村田尊则,清水匡之申请号：CN201320649172.2申请日：20131021公开号：CN203498464U公开日：20140326
摘要：本实用新型提供一种薄膜形成装置，减少因蒸发物质从收纳于真空容器的基板保持部件和真空容器内壁之间的间隙迂回进入而引起的真空容器内的污染和异物混入。薄膜形成装置（1）具备：真空容器（2）；基板保持部件（10），其收纳于真空容器内，用于保持基板（K）；和蒸镀源（3），其配置于基板保持部件（10）的下方位置。在基板保持部件（10）的外周下端部和真空容器内壁之间的间隙设置有防附着遮护部（20）。防附着遮护部（20）由配置于基板保持部件（10）的外周下端部的第1防附着遮护部（21）、和配置于真空容器的内壁面的第2防附着遮护部（22）构成。第1防附着遮护部配置成在上下方向上至少一部分与第2防附着遮护部重叠。
申请人：株式会社新柯隆
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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