专利名称：光刻胶去除方法和光刻工艺的返工方法专利类型：发明专利发明人：袁文勋,陈杰
申请号：CN201410531606.8申请日：20141010公开号：CN105573068A公开日：20160511
摘要：本发明提供一种光刻胶的去除方法和光刻工艺的返工方法，通过首先使晶圆高速旋转，同时使用光刻胶稀释剂RRC溶解掉所述晶圆表面的部分厚度的光刻胶层，在溶解所述部分厚度光刻胶层的同时，所述光刻胶稀释剂RRC将光刻胶层中的比较大的颗粒缺陷冲走；然后再使用氧气等离子体去除剩余的光刻胶层，接着使用湿法清洗所述晶圆的表面，可以有效地完全去除所述光刻胶内的颗粒缺陷，减少了后续刻蚀工艺中出现图形失真缺陷的概率，提高了产品的良率。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：李仪萍
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